サムスン電子は、世界初となる直径12インチ（３００㍉）の次世代半導体ウエハーを開発、これを使った２５６メガＤＲＡＭ（記憶保持動作が必要な随時書き込み読み出しメモリー）の量産に入った。また８インチ（２００㍉）ウエハーを加工し、４月から世界に先駆けてサンプル出荷してきた５１２メガＤＲＡＭの量産も開始した。半導体不況で世界のライバル社が投資を自粛するなか、サムスンは、アクセル全開でＤＲＡＭ市場で独走体制を築く構えだ。

　サムスン電子の黄昌圭・半導体メモリー事業担当社長は、このほど記者会見し、５１２メガＤＲＡＭの量産開始と次世代12インチウエハーの生産体制を築いたことを明らかにした。さらに、０・12マイクロ（マイクロは百万分の１）メートル以下の微細加工技術を使って、来年から12インチウエハーを使った５１２ＤＲＡＭの量産に踏み切る計画を発表した。

　サムスンが開発した12インチウエハーを使うと、現在の８インチより生産性が２・３倍向上する。現在の12インチウエハーの生産量は月１５００枚水準だが、これを月２万枚の量産体制に引き上げれば、生産性が大幅にアップする。

　現在の半導体市場は１２８メガから２５６メガに移行するもようだ。

　黄社長は、「年末までに０・12マイクロメートル級の微細加工技術を完成させ、２００３年には０・10マイクロメートル、２００４年には０・07マイクロメートルまで精度を高める」と述べた。

　これによってサムスンは、メモリー事業構造を高度化し、売上高を２０００年の88億ドルから２００５年には２００億ドルに引き上げ、メモリー半導体市場で独走体制を築く。さらに非メモリー分野にも力を注ぎ、半導体市場でのシェアを現在の世界４位から２００５年には米インテルに次ぎ２位に躍進する計画だ。

　このほか、▽ＤＲＡＭへの依存度を下げ、フラッシュメモリーを中核製品に育成▽需要が拡大している携帯電話向けＮＯＲ型フラッシュメモリーへの参入▽２００５年までにフラッシュメモリーとＳＲＡＭの生産比率を50％にする――などの事業構想を明らかにした。

　サムスンの強気の市場戦略によって、「減産」を強いられてライバル社はさらに苦境に立たされる見込みで、世界のメモリー市場はサムスンと米マイクロンの２強体制に集約されるもようだ。