業績の低迷から、一時身売り寸前まで行ったハイニックス半導体が完全復活を遂げた。同社は、年初からの半導体価格の下落で実績悪化が憂慮される中、史上初の売上高９兆ウォンに挑む。このため、中国工場の３００㍉ウエハー専用ラインの生産能力を現在の３倍の月７万５０００枚に拡大し、上半期に66ナノＤＲＡＭ、下半期には55ナノＮＡＮＤフラッシュの量産を開始する。

　ハイニックスは、このような内容の「２００７年経営計画」を確定、今月末に開く株主総会で発表する。同社は昨年、創業以来最高の売上高７兆５６９０億ウォンを達成したが、今年は、これより20％以上多い９兆ウォンの達成をめざす。営業利益も過去最高の２兆ウォン以上に引き上げる。

　売上高９兆ウォンを達成すると、ハイニックスは２００３年（３兆６２０４億ウォン）からわずか４年で約３倍の成長を達成することになる。また、低迷している半導体価格が回復すれば、10兆ウォンの大台に乗せることも可能だ。

　この目標を達成するため、４兆４０００億ウォンを投資して国内の２００㍉ウエハーラインを拡充するとともに、中国の３００㍉ウエハーラインを拡張する計画だ。投資額は昨年より１０００億ウォン多く、２００５年（２兆２０００億ウォン）の２倍規模となっている。

　中国工場には約１兆５０００億ウォンを投入する。無錫工場の生産能力を３倍に拡張し、今年第３四半期からはＮＡＮＤフラッシュメモリーの生産に着手。中国工場だけで２兆ウォン以上の売上高を達成する計画だ。需要が高まれば、中国工場でＮＡＮＤフラッシュを増産することも視野に入れている。

　ハイニックスはまた、生産性を上げるため、工程技術をアップグレードする。世界初の60ナノＤＲＡＭの生産を開始したサムスン電子に続いて、上半期中に66ナノ工程技術を適用した１ギガＤＲＡＭを量産。さらに第４四半期から55ナノの８ギガＮＡＮＤフラッシュを生産する計画だ。