サムスン電子が世界で初めて、第3世代の３Ｄ（立体）フラッシュメモリー「Ｖ－ＮＡＮＤ」（記憶容量256㌐ビッド）の量産に成功した。メモリーチップ一つでＤＶＤ映画23本ないし写真3万2000枚を保存できる最先端半導体だ。第2世代のＶ－ＮＡＮＤ（128㌐ビッド）に比べデータを迅速に保存でき、消費電力を30％軽減した省エネ型で、製品生産性も40％高めた。これで拡大を続けるＮＡＮＤ型フラッシュメモリー市場で技術格差を広げ、独走体制を固める戦略だ。

　第3世代のＶ－ＮＡＮＤは、セルを48段に積み重ねて集積度を高めたもので、既存の第2世代Ｖ－ＮＡＮＤよりも容量を2倍に向上させている。京畿道華城(キョンギドファソン)と中国の陝西省西安工場で量産を開始した。

　サムスン電子の関係者は「昨年8月に第2世代Ｖ－ＮＡＮＤ型の生産に続き、その後1年で第3世代を本格的に量産することができた。3Ｄメモリー技術のリーダーシップはさらに確固となった」と語った。

　３Ｄフラッシュメモリーは、最小記憶装置のセルを平面的に広げた既存の製品とは異なり、セルを垂直に積み上げて速度と効率を高めた半導体で、サムスン電子が世界で唯一保有している技術だ。

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