メモリー半導体の覇者、サムスン電子が３Ｄ（３次元）ＮＡＮＤ型フラッシュメモリーに大々的に投資する計画だ。投資額は来年までで25兆㌆。莫大な投資で東芝やマイクロンなどライバル企業を引き離し、メモリー分野に新規参入したインテルや中国ＸＭＣ（武漢新芯）などが市場に足を踏み入れられないようにするという戦略だ。

　計画によると、サムスン電子は京畿道華城(キョンギド・ファソン)の半導体工場16ラインの一部を3Ｄ用に転換するとともに、17ラインの第2段階工場にも3Ｄラインを設置する。生産能力はウエハー基準で月産10万枚。生産設備を早期に設置、年内稼働をめざす。

　また、年末に完工する京畿道平澤工場（第1段階、月産10万枚）でも3Ｄを生産する方針だ。年末から設備投資を始め、来年下半期（7～12月）の稼働を予定している。

　通常、月産1万枚規模の設備には1兆㌆が必要だ。第1四半期（1～3月）に3Ｄを製造する中国西安工場に月産4万枚の設備を増設した経験に照らし、今回の投資額になった。

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