サムスン電子は、速度の速いＤＲＡＭと電源が切れてもデータが消えないＮＡＮＤ型フラッシュメモリー双方の長所を結合した次世代メモリー半導体のｅ（埋め込み用）ＭＲＡＭ（磁気ランダムアクセスメモリー）の開発に成功し、量産を開始した。2002年に研究開発を始めてから17年で結実した成果だ。需要が急増しているＩｏＴ（モノのインターネット）基盤の各種ＩＣＴ（情報通信技術）製品に主に搭載される見通しで、今後の大きな収益事業になると期待している。

　サムスン電子は、京畿道龍仁市(キョンギド・ヨンインシ)の器興(キフン)工場で量産品の最初の出荷を記念する行事を行い、ファウンドリ事業部戦略マーケティングチームの李相鉉(イ・サンヒョン)常務は「サムスン電子はｅＭＲＡＭの開発によって、ファウンドリ（半導体受託生産）事業で成長する足場を整えた」と強調した。

　今回の内蔵型メモリー半導体製品のｅＭＲＡＭは、メモリー半導体やコントローラー、通信用半導体などの様々な機能を持つ半導体をモジュールのように一つにまとめたシステムオンチップ（ＳｏＣ）に装着される。電源を消してもデータが消えないＮＡＮＤ型フラッシュの特性を持ち、書き込み速度は既存の内蔵型製品（ｅフラッシュ）より1000倍速い。

　サムスン電子関係者は、「既存のメモリー製品と違い、ソフトウエアなどをアップグレードする際に既存データを削除する必要がなく、書き込み速度が画期的に改善した。また、電源が切れた状態でもデータを維持でき、別途の待機電力も消費しない」と説明した。

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