ＳＫハイニックスが、中国南部の江蘇省無錫市で既存のＤＲＡＭ半導体生産ライン（Ｃ2）を拡張するＣ2ファブの竣工式を行った。ファブは半導体工場を表す用語。これで中国でのメモリー半導体の増産体制が確立した。新生産工場の完成で生産能力は1・5倍に拡大する。

　竣工式は「新しい飛躍、新しい未来」をテーマに現地で18日開かれ、李小敏・無錫市書記、郭元強・江蘇省副省長、崔泳杉・上海総領事、李錫熙(イ・ソッキ)・ＳＫハイニックスＣＥＯ（最高経営責任者)、協力会社代表ら500人が出席した。

　ＳＫハイニックスは、2004年に無錫市と工場建設契約を締結し、06年からＤＲＡＭの生産を始めた。当時建設されたＣ2は同社初のウエハー直径300㍉の半導体生産ライン。

　半導体工程微細化により工程数が増え、装備の大型化でスペースが不足したため、17年6月から9500億㌆を投入してクリーンルームを追加建設。装備を入庫し、ＤＲＡＭ生産を開始した。

　今回竣工したＣ2ファブは建築面積5万6880平方㍍（長さ316㍍、幅180㍍、高さ51㍍）の単層ファブで、既存のＣ2工場と同様の規模だ。無錫ファブでは10㌨㍍（1㌨㍍＝10億分の1㍍）の後半、20㌨㍍の中・後半の製品を生産するが、Ｃ2ファブでは10㌨㍍後半の製品の生産補助の役割を担うことになる。

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