ＳＫハイニックスは、現存する半導体の中で最高層である238層のＮＡＮＤ型フラッシュメモリーの開発に成功した。来年から量産する計画だ。従来の最高層のＮＡＮＤは、米マイクロンの232層の製品だった。セルを垂直に積み上げてメモリーの性能を高める半導体技術競争でトップに立ったＳＫハイニックスだが、高層化競争は熾烈化しそうだ。
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2022/08/12
＜韓国経済＞ＳＫハイニックス、世界最高層のフラッシュ開発
ＳＫハイニックスが開発した238層のＮＡＮＤ型フラッシュメモリー
＜韓国経済＞
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