サムスン電子は、名刺の半分ほどの大きさのメモリーカードにＤＶＤ画質の映画80本、新聞８００年分、40万冊分の本、さらに40人のＤＮＡ遺伝子情報を記憶できる「夢の半導体」開発に成功した。同社は23日、世界で初めて30ナノ㍍（１ナノ㍍は10億分の１㍍）の超微細工程でつくった64Ｇｂ（ギガビット）の記憶容量をもつＮＡＮＤ型フラッシュメモリー半導体（電源が切れてもデータが保存される記憶素子）を開発したと発表した。これで半導体の集積度が毎年２倍ずつ増加するとした黄昌圭社長の「黄の法則」が８年連続立証されたことになり、サムスンの開発力を世界に誇示した。

　64ＧｂＮＡＮＤ型フラッシュメモリー半導体は、ウエハー（半導体原板）に毛髪の４０００分の１の細さである30ナノ㍍の線幅で回路をつくる超微細工程で開発された。

　64Ｇｂ（８ＧＢ＝ギガバイトに相当）16個でつくった１２８ＧＢメモリーカードを利用すれば、ＤＮＡ遺伝子情報４０人分を一挙に記憶できるようになり、バイオ技術への活用にも期待がもてる。

　半導体総括の全峻永常務は「製品が量産化される09年以降の世界市場でも主導権を取り続けるチャンスをつかんだ」と自信をみせている。半導体市場調査機関によると、09年から11年までの３年間に64Ｇｂ製品の市場規模は２００億㌦を超える見通し。

　世界のメモリー市場は、動画をはじめとする大容量保存媒体の需要が急増しており、主にデジタルカメラや携帯電話に使われてきたＮＡＮＤ型フラッシュメモリーは、市場での人気が高い。

　サムスン電子は、１９９９年に２５６メガのメモリー半導体を開発、翌00年から８年連続で集積度を倍増してきた。このメモリー新成長論である「黄の法則」を立証する上で、先端加工技術が大きな役割を果たした。今回の64Ｇｂ開発に欠かせなかった「30ナノ工程」では、これをサポートする半導体設備が存在せず、困難に直面したが、従来の40ナノ工程装備を利用し、最先端の30ナノ工程を実現する方法を見い出した。全常務は「ＳａＤＰＴと名付けられたこの工程により、64Ｇｂ製品を量産する際、追加投資も最小限に抑えられるようになった」と話した。