サムスン電子が、従来の半導体微細加工技術の限界を克服した新しい概念の「３Ｄ（３次元）垂直構造ＮＡＮＤ型フラッシュメモリー」の量産化に成功し、世界で初めて３Ｄメモリー半導体時代を切り開いた。現在の半導体は平面型であるが、それが立体化され、パソコンやスマートフォン（高機能携帯電話）などの集積度や読み込み速度は飛躍的に高まることになった。「半導体革命」といわれるほど極めてハードルの高い技術開発の画期的な成果だ。

　崔定赫(チェ・ジョンヒョク)・サムスン電子メモリー事業部フラッシュ開発室長は６日、「メモリー事業を開始して30年、半導体事業の新しいターニングポイントを迎えた」と今回の世界初の量産化成功を発表した。

　これまで半導体の世界では、サムスン電子、ＳＫハイニックス、米マイクロン、東芝などの有力メーカーが、ウエハー（半導体を作る土台になる薄い板）に微細加工で回路幅を極限まで狭く描く熾烈な競争を展開してきた。

　しかし、10ナノ㍍（１ナノ㍍は10億分の１㍍）級の工程が開発されてからは、隣接するセル（データ保存媒体）間で電子が漏れる干渉現象が起こるため、セルを水平配列で間隔を狭める方式では、これ以上の微細加工は不可能になった。セルの間隔が10ナノ㍍より狭い半導体を作るのは物理的に難しいということだ。

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