ＳＫハイニックスは10日、記憶素子を72層に積む最先端の3Ｄ（立体）半導体、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリーの開発に世界で初めて成功したと発表した。これまで最高水準のサムスン電子や東芝の64層を上回る。今年下半期（7～12月）からソウル近郊の利川(イチョン)工場で量産入りする予定だ。

　ＳＫハイニックスは、スマートフォン（高機能携帯電話）やデータセンター向けに需要が増えるＮＡＮＤ型フラッシュメモリーの多層化を進めるため、2兆2000億㌆を投じて新工場棟とクリーンルームを建設した。

　同社はＤＲＡＭ半導体ではサムスン電子に次ぐ世界2位のシェアを誇るが、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリーでは東芝とマイクロンの後塵を拝していた。このため、昨年から技術格差を縮める努力を本格的に傾けてきた。

つづきは本紙へ